核心指标对比
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参数 |
通用铝锭 |
半导体靶材铝锭 |
提升效果 |
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(200)晶向占比 |
60-75% |
**＞95%** |
↑32%靶材寿命 |
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晶粒度偏差 |
±15μm |
±2.1μm |
薄膜均匀性↑40% |
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氧含量 |
≤80ppm |
≤3ppm |
溅射速率↑28% |
晶向控制工艺：
复制
■ 真空区域熔炼： - 温度梯度30℃/mm（8次提纯） - 凝固速率0.8mm/min
■ 电磁场约束： - 行波磁场0.8T + 静磁场1.2T - (200)晶面取向误差＜0.5°
某头部靶材企业验证：3nm制程晶圆沉积速率提升至0.38nm/s（行业基准0.25nm/s）
